我国创“多重鳍高电晶体” 晶片多塞2千万颗还更省电

　　国研院研发出弹性更高、体积更小的「多重鳍高电晶体」。

　　奈米元件实验室表示，「鳍式场效电晶体」(FinFET) 因为形状有如鱼鳍而得名，除了体积小较为省电，还可扩充晶片上可容纳的电子元件密度，并让不同大小的电流「各住适合的房型」，达到晶片空间利用的最佳化，藉此提升运作效能。

　　国研院指出，半导体积体电路的製造，可说是一场尺寸微缩与效能提升的竞赛，半导体元件最先进的製程技术，约可在1平方公分的硅晶片上，容纳约1亿颗电晶体;「鳍式场效电晶体」技术一旦推出，不只让设计更具弹性，还可在同样面积增加约2千万颗电晶体，等于节省了两成的製作成本。

　　国研院还说，此技术已经申请专利，且自12月起，将为国内学术界开放製作平台，方便其研发各种元件雏型与製程技术，让学术前瞻研究与产业接轨;预估在5年内，就能协助业界量产「多重鳍高的鳍式场效电晶体」